中芯國際從2019年四季度開(kāi)始量產(chǎn)14nm，正處于產(chǎn)能爬坡期；在更先進(jìn)制程的規劃上，N+1研發(fā)進(jìn)程穩定，已進(jìn)入客戶(hù)導入及產(chǎn)品認證階段，中芯的N+1工藝相比較臺積電的7nm性能稍弱；N+2工藝能接近主流的7nm水平，中芯計劃于今年第四季度進(jìn)行FinFET 7nm的初始生產(chǎn)，但量產(chǎn)計劃還未公布。
梁孟松表示，“7nm作為其14nm工藝的繼任者，其性能提高了20％，功耗降低了57％。它將邏輯面積減少63％，SoC面積減少55％，密度是14nm的兩倍以上?！彪m然中芯國際的14nm工藝相比臺積電、格羅方德、聯(lián)華電子等主要競爭對手晚了2-4年，但是在7nm工藝的進(jìn)度較快，正在實(shí)現追趕。
與此同時(shí)，聯(lián)華電子、格羅方德宣布相繼退出12nm以下先進(jìn)工藝市場(chǎng)，據業(yè)內分析，接下來(lái)中芯國際對這兩家的超越是完全可以實(shí)現的，如果不把三星看做專(zhuān)門(mén)的代工廠(chǎng)，那么未來(lái)在7nm以下先進(jìn)工藝市場(chǎng)的角逐上，只剩下臺積電和中芯國際兩家。
相比身處美國、臺灣地區的競爭對手，中芯國際正在把這場(chǎng)危機化為機遇。
首先，中國是芯片市場(chǎng)需求大國，半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多年發(fā)展逐步完善，也不乏優(yōu)秀的IC設計公司。隨著(zhù)中美貿易摩擦的加劇，越來(lái)越多的代工訂單轉到了中國大陸，這其中華為也更加傾向于選擇并扶植大陸的合作伙伴。

根據《電子時(shí)報》1月份的報道，中芯國際擊敗臺積電，奪得華為海思半導體的14納米FinFET工藝芯片制造訂單。

榮耀Play4T中芯國際20周年定制版
今年5月，中芯國際定制版榮耀Play4T在媒體曝光，其特別之處在于背面的logo——SMIC 20，以及一行文字標注：Powered by SMIC FinFET，顯示著(zhù)這款手機的海思麒麟710A處理器，采用的正是中芯國際（SMIC）14nm制程代工。
其中，12英寸芯片SN1項目，正是用于滿(mǎn)足建設1條月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)項目的部分資金需求，將生產(chǎn)技術(shù)水平提升至14nm及以下，來(lái)進(jìn)一步滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。
對于7nm或更先進(jìn)的工藝，梁孟松曾表示，“中芯國際無(wú)需EUV就能達成7nm，當然后續的5nm、3nm是必須要有EUV的?！彪m然無(wú)法引進(jìn)更為先進(jìn)的EUV光刻機，但這也為中芯國際在短時(shí)間內，利用現有設備實(shí)現從14nm推進(jìn)到7nm工藝制程并逐步實(shí)現量產(chǎn)，贏(yíng)得了一個(gè)難得的喘息和發(fā)展的時(shí)間差。
在技術(shù)層面上，依然存在不確定性，一旦臺積電遇到工藝制程陷阱或者技術(shù)分水嶺，中芯國際作為跟隨者，市場(chǎng)格局很有可能發(fā)生變化。
2014年，臺積電制程工藝升級至20nm，并為高通代工驍龍810解決方案。不過(guò)該方案內核架構過(guò)分關(guān)注提升性能，導致整機嚴重發(fā)熱，深陷工藝制程陷阱，最終造就了高通“火龍處理器”的黑歷史。臺積電被迫加快工藝升級進(jìn)度，經(jīng)過(guò)2015與2016年兩次技術(shù)迭代才擺脫陰影。
目前，很難預判哪個(gè)工藝節點(diǎn)將成為新的陷阱。因此，對臺積電而言，犯錯比減速更加不可接受，這也為中芯國際的追趕爭取更多時(shí)間。
路漫漫其修遠兮，吾將上下而求索?！奥浜缶鸵ご颉钡牡览?，從古至今從來(lái)不會(huì )改變。中國的芯片之路仍需不懈努力，還有很長(cháng)的路要走。